线切割损伤层厚度可达10微米左右。一般采用20%的碱溶液在90℃条件腐蚀 0.5~1min以达到去除损伤层的效果,此时的 腐蚀速率可达到6~10um/min 。初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短,以防硅片被腐蚀过薄。对于NaOH浓度高于20%W/V的情况,腐蚀速度主要取决于溶液的温度,而与碱溶液实际浓度关系不大。HF去除硅片表面氧化层:
硅片RCA清洗工艺中,氟化氢HF的氢钝化机理
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