GaN是什么晶体

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  • 即氮化镓,属第三代半导体材料,六角纤锌矿结构.禁带宽度在T=300K时为3.3.3eV,是半导体照明中发光二极管的核心组成部份.通常工业上采用MOCVD设备来生长.

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