这是机理性的东西,CVD 法是在高温条件下分解含有C元素的原料气体,生成碳原子,甲基原子团等活性粒子,并在合适的工艺条件下,在基底材料上沉积出金刚石膜的方法.对于CVD 金刚石膜的沉积机理,存在诸多模型,比较一致的描述为（CH4/H2系统）
H2=2H·
CH4=CH3·+H·
CH4+H·=CH3·+H2
由于CH3·具有金刚石结构,而其悬挂键又被大量的氢原子所饱和,因此金刚石膜表面就保持了稳定的sp3杂化结构,即金刚石的四面体结构.若其上沉积新的碳原子,就可能与其键合形成sp3杂化键,从而形成金刚石晶体,如此循环反复即可得到金刚石膜.
给你看个图吧,是CVD金刚石膜生长过称中sp3结构碳生成的具体过程：