(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子

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  • 解题思路:(1)Ga原子是31号元素,根据核外电子排布规律书写原子的电子排布式;单晶硅是Si正四面体向空间延伸的立体网状结构,为原子晶体,GaN晶体结构与单晶硅相似,GaN属于原子晶体,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为与但晶硅中Si的结构相似;

    (2)微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有能够接受孤电子对的空轨道的原子或离子;

    (3)①根据电负性的变化规律比较电负性大小;

    ②根据判断SO2分子含有的δ键以及孤电子对数判断空间构型,根据SnCl4含有的最外层电子数为50,以及含有5个原子判断等电子体;

    ③根据价层电子对数判断乙二胺分子中氮原子的杂化类型,根据是否含有氢键分析二者熔沸点高低不同的原因;

    ④根据成键原子的特点判断化学键类型;

    ⑤根据晶体结构特点分析Cl原子的配位数.

    (1)Ga原子是31号元素,Ga原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1;GaN晶体结构与单晶硅相似,GaN属于原子晶体,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体,

    故答案为:1s22s22p63s23p63d104s24p1;正四面体;原子;

    (2)微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有能够接受孤电子对的空轨道的原子或离子,

    故答案为:能够接受孤电子对的空轨道;

    (3)①在元素周期表中同一周期从左到右元素的电负性逐渐增强,同一主族从上到下元素的电负性逐渐减弱,可知电负性强弱顺序为O>N>H,

    故答案是:O>N>H;

    ②SO2分子中含有2个δ键,孤电子对数=[6−2×2/2]=1,所以分子为V形,SnCl4含有的价层电子数为50,并含有5个原子,与之为电子体的离子有SO42-、SiO44-等,

    故答案为:V形; SO42-、SiO44-等;

    ③乙二胺分子中氮原子形成4个δ键,价层电子对数为4,氮原子为sp3杂化,乙二胺分子间可以形成氢键,物质的熔沸点较高,而三甲胺分子间不能形成氢键,熔沸点较低,

    故答案为:sp3杂化;乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键;

    ④)②中所形成的配离子中含有的化学键中N与Cu之间为配位键,C-C键为非极性键,C-N、N-H、C-H键为极性键,不含离子键,

    故答案为:abd;

    ⑤从CuCl的晶胞可以判断,每个铜原子与4个Cl距离最近且相等,即Cu的配位数为4,根据化学式可知Cl的配位数也为4,

    故答案为:4.

    点评:

    本题考点: 原子核外电子排布;元素电离能、电负性的含义及应用;配合物的成键情况;晶胞的计算;原子轨道杂化方式及杂化类型判断.

    考点点评: 本题考查较为综合,涉及电子排布式、分子的立体构型、杂化轨道类型、氢键、化学键类型以及晶体结构分析等知识,题目具有一定难度,本题注意晶胞配位数的判断方法,可根据CuCl的化学式进行比较.