这平坦化抛光CMP是一个具有超精密抛光中取得的裸硅片抛光工艺镜面完成处理成功的结果的应用技术.或CMP平坦化抛光机械产生较大的表面到一个平面上.这样一个简单的概念,导致了用户友好的可理解性.此外,像一个晶圆平坦化大型面积的可能性,不用说,芯片大小的面积,是可行的.在晶圆加工,特别是机械化学抛光或CMP抛光,支持机电光尖端产业,包括半导体产业多年来,提供优异的成绩.因此,它是一个自然的发展,这样的技术和诀窍,并已被转用于或CMP平坦化抛光.但是,它绝不是像这样的设备晶圆平坦化可以通过简单分流现有的抛光技术,因为它是实现.还有很多问题其余.这项技术被称为抛光或CMP可以追溯到1960年的下半年,当IBM公布了泗使用氢氧化钠溶液中的当前机械化学抛光或中医概念的发展.
介质隔离片（DI）的LSI晶片承受高压是一个典型的产品在进入设备制造过程中引入了抛光技术的早期阶段,生产[7].关于直接投资为LSI晶片研究（图7.7）数字订户线路已进行自1980年上半年推出时,机械化学抛光或CMP是在其制造过程中引入[8].
图7.8是一个全自动磁带到磁带外视图
抛光当时,这似乎是开发的机器世界第一
全自动抛光机[9].
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