单词：POLY 多
METAL 金属
THIN OXIDE 薄氧化物
PWELL CHANNEL PWELL(P阱)沟道
NEPI DRAIN N SOURCE NEPI漏极N源极
句子：
图 1.17 一个双扩散DOMOS晶体管的制备,先通过多晶硅里的一个洞在n型epi里扩散出一个p阱.第二次n型扩散形成了源极.漏极就是原来的epi,而p阱形成了沟道.沟道长度取决于p阱和n型源极的横向扩散.epi做成了漏极接触.多个这样的器件排成阵列可以做成高效的电力晶体管.
齐纳二极管
pn结操作于击穿状态用来作电压参照或削波和箝位电路. 击穿电压随结的较轻掺杂一侧的掺杂浓度平方根变化,如方程1.26所描述.要想让齐纳管被击穿时不损坏,至关重要的是电流必须分布在结的整个截面积上.掺杂和电场的不均匀性导致击穿首先在掺杂浓度最高或电场最大的地方.如图1.18所示,深层iso齐纳管有一个光滑截面积及均匀分布的掺杂物.与图1.18的表面浅n浅p型齐纳管相比电流分布于更大的面积,后者的掺杂浓度随离表面的距离变化而且在其尖角处有大电场.这些齐纳管会被大电流烧坏.损坏处就是靠近表面的尖角处.如果电流由外部电路限制使得结内能量耗散保持在安全范围以内,结就不会烧坏.操作于反向击穿状态下的pn结叫齐纳二极管,用作电压参照或保护敏感元件的削波和箝位电路.