网上有比较详细的资料说明：
增强型耗尽型：大多数管子都是增强型的,耗尽型在无线电设备上有用到,平时说的功率MOS都是增强型的,它的功率可以做得很大
从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道.原因是制造N沟道耗尽型MOS管时,在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子),如图1(a)所示,因此即使vGS=0时,在这些正离子产生的电场作用下,漏－源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道),只要加上正向电压vDS,就有电流iD.如果加上正的vGS,栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子,沟道加宽,沟道电阻变小,iD增大.反之vGS为负时,沟道中感应的电子减少,沟道变窄,沟道电阻变大,iD减小.当vGS负向增加到某一数值时,导电沟道消失,iD趋于零,管子截止,故称为耗尽型.沟道消失时的栅-源电压称为夹断电压,仍用VP表示.与N沟道结型场效应管相同,N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值,但是,前者只能在vGS0,VP