解题思路：先根据无限长直线电流产生的磁感应强度的公式，以及矢量合成的方法，求出半导体所在处的磁感应强度，然后结合霍尔效应的相关公式，即可求得此半导体片的左右两个侧面之间的电势差．
考察导线排M1M2中的电流产生的磁场，取x轴与导线排M1M2重合，y轴与导线排M1M2垂直，如图1所示．位于x轴x+△x（△x为小量）之间的细导线可以看作是“一根”通有电流D1△x的长直导线，它在y轴上P点产生的磁感应强度的大小为 △B＝k
Iλ△x
r ①
r为P点到此直长导线的距离，△B的方向与r垂直，与电流构成右手螺旋，将△B分解成沿x方向和y方向的两个分量△Bx和△By，有
△Bx＝k
Iλ△x
rcosθ ②
△By＝k
Iλ△x
rsinθ ③
根据对称性，位于-x到-（x+△x）之间的细导线中电流产生的磁感应强度在y方向的分量与△By大小相等、方向相反，可见整个导线排中所有电流产生的磁场在y方向的合磁场为0．由图1可看出
[△xcosθ/r＝△θ④
把④式代入②式得△Bx=kD1△θ ⑤
导线排上所有电流产生的磁感应强度
B=∑△Bx=∑kIλ△θ ⑥
注意到，得B=kπλl ⑦
即每个导线排中所有电流产生的磁场是匀强磁场，磁场的方向分别与M1M2和M3M4导线排平行，如图2所示，两导线排中电流产生的磁感应强度B（M1M2）与B（M3M4）成120°，它们的合磁场的磁感应强度的大小
B0=2Bcos60°=kπλl ⑧
方向与OO′平行，由O指向O′．
2．半导体片左右两侧面间的电势差
当半导体片中通有均匀电流I0时，半导体片中的载流子作定向运动，N型半导体的载流子带负电荷，故其速度v的方向与I0方向相反，垂直纸面向里，且有
I0=nqvS ⑨式中S为半导体片横截面的面积
S＝
.
ab•l ⑩
载流子作定向运动时要受到磁场洛伦兹力fB的作用，其大小为
fB=qvB0（11）
对带负电荷的载流子此力的方向指向左侧，于是负电荷积聚在左侧面上，从而左侧面带负电，右侧面带正电，两侧面间出现电势差U=U右-U左．带负电荷的载流子受到静电力fE由左侧面指向右侧面，达到稳定时，fE与fB平衡，即
fE＝
U
.
ab•q＝fB （12）
由⑧、⑨、⑩、（11）、（12）各式得
U＝k
πλI•I0
nql]
答：此半导体片的左右两个侧面之间的电势差为
kπλI•I0
nql．
点评：
本题考点： 通电直导线和通电线圈周围磁场的方向．
考点点评： 该题考查无限长直线电流产生的磁感应强度的公式，以及矢量合成的方法，以及霍尔效应等知识点，属于高中物理竞赛的知识点与题目．题目的难度大．