（1）对加速阶段应用动能定理，有：
e U 1 =
1
2 m
v 20
解得：v 0=
2e U 1
m
偏转阶段类平抛轨迹如图a所示，可以得到：
tanθ=
v Y
v 0 =
e U 2
m L 1 ×
L 1
v 0
v 0 =
e U 2 L 1
m L 1
v 20 =
U 2
2 U 1 =
300
2×200 =
3
4
所以θ=37°
（2）经过偏转电场时的偏转距离 y=
1
2
e U 2
m L 1 (
L 1
v 0 ) 2 =
U 2 L 1
4 U 1 =
300×6
4×200 cm=2.25cm
从偏转电场出来后作直线运动：由
Y
y =
L 1
2 + L 2
L 1
2
得Y=
L 1 +2 L 2
L 1 y =
6+2×21
6 ×2.25 cm=18cm
[或直接求Y=（L 2+
L 1
2 ）tanθ=（21+3）×
3
4 cm=18cm]
（3）如图乙所示，电子轨迹从磁场出来的切线延长线交于磁场区的圆心，因为也打在P点，所以θ=37°
由图可知电子轨道半径R满足：
Rsinθ=
L 1
2 +
L 1
2 cosθ
解之得：
R=
L 1 (1+cosθ)
2sinθ =
6×(1+0.8)
2×0.6 cm=9cm
又 R=
m v 0
eB
得B=
m v 0
eR =
2m U 1
e
R =
2×200
1.8× 10 11
0.09 =
100
27
2 ×1 0 -4 =5.24×10 -4T
答：（1）电子离开偏转电场时的偏角θ的正切函数值tanθ为
3
4 ；
（2）电子打到荧光屏上的位置P偏离荧光屏中心O′的距离Y为18cm；
（3）电子在磁场中的轨道半径为9cm，磁感应强度B的大小为5.24×10 -4T．