由于发射结外加正向电压,发射区的多子电子将不断通过

由于发射结外加正向电压,发射区的多子电子将不断通过发射结扩散到基区,形成发射结扩散电流Ien.同时,基区的多子空穴也要扩

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aa这里的空穴移动主要是扩散的关系,不会束缚电子的移动. Ien是扩散电子的电流,电子主要是导带的电子即平衡态的电子和非平衡态的电子,以自由电子和价电子区分欠妥.在基区影响从发射区扩散的电子的空穴是复合的空穴电流,与扩散到发射区的不同.因为发射结是单边突变结,所以要注意扩散区的大小以及电荷总量