Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区自由电子浓度一负一正,结果形成扩散势.扩散势的数值与材料和掺杂浓度有关.对于硅,掺杂浓度百万分之一时,扩散势就是大约0.7V.扩散势计算,可以阅读半导体物理学著作及模拟电子技术教科书.pn结即三极管发射结导通后,0.7V扩散势就作为正向压降即发射结压降体现出来.
晶体管集电极电流首先降落在电阻Rc或者Re上,其次才落在晶体管集电极与发射极上.由于Ic或Rc比较大,Rc压降比较大,结果晶体管集电极与发射极压降很小了,就是晶体管饱和.饱和时Uce不应总是0.3V.小功率管也可能是0.1V,大功率管还可能是1V.