对于半导体器件,合乎需要的通常是处在耗尽区域的材料,因为它们对温度变化相对地不敏感.耗尽区域B可通过以下措施扩大到很宽的温度范围：
a) 选择具有本征能隙大的材料
b) 选择伴生能级尽量接近相应价带或导带的掺杂物质.
11.用于实际器件中的半导体材料,需要价带和导带间的间隙较大而价带/导带和杂质能级间隙较小的,为什么?
对于半导体器件,合乎需要的通常是处在耗尽区域的材料,因为它们对温度变化相对地不敏感.耗尽区域B可通过以下措施扩大到很宽的温度范围：
a) 选择具有本征能隙大的材料
b) 选择伴生能级尽量接近相应价带或导带的掺杂物质.