三极管的放大原理
以NPN三极管为例说明其内部载流子运动规律和电流放大
一般要求的工作条件：BE结正偏置,硅管一般放大时0.6-0.7V左右,实际工作时通过电阻分压或控制基级电阻来实现,CB结反偏,一般这个电压会比 BE 结电压高几倍以上.在集电级一般是需要串联电阻或感性负载的.
原理
1、发射区向基区扩散电子：由于发射结处于正向偏置,发射区的多数载流子（自由电子）不断扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流IE.
2、电子在基区扩散和复合：由于基区很薄,其多数载流子（空穴）浓度很低,所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合,形成比较小的基极电流IB,而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘.
3、集电区收集从发射区扩散过来的电子：由于集电结反向偏置,可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区,从而形成较大的集电极电流IC.
4 三极管的输入输出特性
三极管的输入特性是指当集-射极电压UCE为常数时,基极电流IB与基-射极电压UBE之间的关系曲线.
对硅管而言,当UCE超过1V时,集电结已经达到足够反偏,可以把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入集电区.如果此时再增大UCE ,只要UBE保持不变（从发射区发射到基区的电子数就一定）, IB也就基本不变.就是说,当UCE超过1V后的输入特性曲线基本上是重合的.
二极管的伏安特性一样,三极管的输入特性也有一段死区,只有当UBE大于死区电压时,三极管才会出现基极电流IB.通常硅管的死区电压约为0.5V,锗管约为0.1V.在正常工作情况下,NPN型硅管的发射结电压UBE为0.6～0.7V,PNP型锗管的发射结电压UBE为-0.2～ -0.3V.
三极管的输出特性是指当基极电流IB一定时,集电极电流IC与集-射极电压UCE之间的关系曲线.在不同的IB下,可得出不同的曲线,所以三极管的输出特性是一组曲线.通常把输出特性曲线分为三个工作区：
1、放大区：输出特性曲线的近于水平部分是放大区.在放大区, IC ＝ IB ×?,由于在不同IB下电流放大系数近似相等,所以放大区也称为线性区.三级管要工作在放大区,发射结必须处于正向偏置,集电结则应处于反向偏置,对硅管而言应使UBE>0,UBC