霍尔的灵敏度指单位电压或者单位电流在单位磁场下（比如1T或者1mT）产生的霍尔电压,这个霍尔电压一般很小（最多mV级别）.霍尔灵敏度主要与制成霍尔元件（或者芯片）的材料有关,一般来讲,材料的迁移率越高,则灵敏度越高.另外,霍尔灵敏度也与所加的电压或者电流偏置有关.
霍尔元件（一般由锑化铟制成）的灵敏度比较好测量,相同的电压和磁场条件下,输出电压高的则灵敏度高.
霍尔集成电路（IC)的灵敏度的测量要分两种：（1) 对于开关型,测量可以使hall IC打开（一般输出由高变低）的磁场强度,使hall打开的磁场越弱则灵敏度越高.（2）对于线性hall,则需要给芯片一个磁场变量（比如磁场变化100GS）看输出电压变化值的大小,电压变化的则灵敏度高.
对于怎样提高灵敏度,在hall材料已经确定的情况下只能靠外加放大器等电子电路来变相的实现.