(1)设离子的速度大小为v,由于沿中线PQ做直线运动,
则有qE 1=qvB 1,
代入数据解得:v=5.0×10 5m/s,
(2)离子进入磁场,做匀速圆周运动,
由牛顿第二定律有:qvB 2=m
v2
r
得,r=0.2 m,
作出离子的运动轨迹,交OA边界于N,如图甲所示,OQ=2r,
若磁场无边界,一定通过O点,则圆弧QN的圆周角为45°,
则轨迹圆弧的圆心角为θ=90°,过N点做圆弧切线,方向竖直向下,
离子垂直电场线进入电场,做类平抛运动,
y=OO′=vt,
x=
1
2 at 2,
而a=
E2q
m ,
则x=0.4 m
离子打到荧光屏上的位置C的水平坐标为x C=(0.2+0.4)m=0.6 m.
(3)只要粒子能跨过AO边界进入水平电场中,粒子就具有竖直向下的速度而一定打在x轴上.
如图乙所示,由几何关系可知使离子不能打到x轴上的最大半径
r′=
0.4
2 +1 m,
设使离子都不能打到x轴上,最小的磁感应强度大小为B 0,
则qvB 0=m
v2
r′ ,
代入数据解得B 0=
2 +1
8 T=0.3 T,
则B 2′≥0.3 T.
答案:(1)离子在平行板间运动的速度大小5.0×10 5m/s.
(2)离子打到荧光屏上的位置C的坐标0.6 m.
(3)现只改变AOy区域内磁场的磁感应强度大小,使离子都不能打到x轴上,磁感应强度大小B 2′应满足B 2′≥0.3 T条件.