解题思路：A、B、C、D为短周期元素，A元素的原子价电子排布为ns2np2，则A属于第IVA族元素；
B元素原子的最外层子数是其电子层数的3倍，最外层电子数不超过8个，则B是O元素；
C元素原子的M能层的p能级有3个未成对电子，则C是P元素；
D元素原子核外的M能层中只有2对成对电子，则D是S元素；
（1）当n=2时，A为C元素，CO2分子结构对称，其正负电荷重心重合；CH2O分子结构简式为HCHO，C原子含有3个δ键、1个π键，据此判断C原子杂化方式；
（2）当n=3时，A为Si元素，A与B形成的晶体为SiO2，属于原子晶体，非金属元素之间易形成共价键；
（3）若n=3时，A为Si元素，同一周期元素，元素的第一电离能随着原子序数增大而呈增大趋势，但第IIA族、第VA族元素第一电离能大于其相邻元素，根据价层电子对互斥理论确定DB2分子的VSEPR模型、DB2分子的空间构型；
（4）铜离子含有空轨道、水分子中O原子含有孤电子对，二者形成配位键．
A、B、C、D为短周期元素，A元素的原子价电子排布为ns2np2，则A属于第IVA族元素；
B元素原子的最外层子数是其电子层数的3倍，最外层电子数不超过8个，则B是O元素；
C元素原子的M能层的p能级有3个未成对电子，则C是P元素；
D元素原子核外的M能层中只有2对成对电子，则D是S元素；
（1）当n=2时，A为C元素，CO2分子结构对称，其正负电荷重心重合，为非极性分子；CH2O分子结构简式为HCHO，C原子含有3个δ键、1个π键，所以C原子价层电子对个数是3，则C原子采用sp2杂化，故答案为：非极性；sp2；3；1；
（2）当n=3时，A为Si元素，A与B形成的晶体为SiO2，属于原子晶体，二氧化硅晶体中Si原子和O原子之间存在共价键，故答案为：共价键；
（3）若n=3时，A为Si元素，同一周期元素，元素的第一电离能随着原子序数增大而呈增大趋势，但第IIA族、第VA族元素第一电离能大于其相邻元素，所以第一电离能大小顺序是P＞S＞Si，
SO2分子中S原子价层电子对个数=2+[1/2]×（6-2×2）=3，且含有一个孤电子对，所以二氧化硫的VSEPR模型为三角形，其空间构型为V形，故答案为：P＞S＞Si；三角形；V形；
（4）铜离子含有空轨道、水分子中O原子含有孤电子对，二者形成配位键，配位键由提供孤电子对的原子指向提供空轨道的原子，所以其表示方法为：
，
故答案为：
．
点评：
本题考点： 原子结构与元素的性质．
考点点评： 本题考查物质结构和性质，涉及分子空间构型的判断、配位键的表示、第一电离能大小比较等知识点，这些都是考试高频点，注意VSEPR模型、分子空间构型的区别及配位键的表示方法，关键是配位键箭头方向，为易错点．