从本质上来说,造成半导体器件热不稳定的重要因素主要有两个：
（1）半导体禁带宽度与温度有关（一般,随着温度的升高而减小）；
（2）载流子浓度与温度有关,特别是少数载流子浓度与温度有很大的关系——将随着温度的升高而指数式增大.载流子浓度与温度的关系决定于杂质电离和本征激发两种过程.
从本质上来说,造成半导体器件热不稳定的重要因素主要有两个：
（1）半导体禁带宽度与温度有关（一般,随着温度的升高而减小）；
（2）载流子浓度与温度有关,特别是少数载流子浓度与温度有很大的关系——将随着温度的升高而指数式增大.载流子浓度与温度的关系决定于杂质电离和本征激发两种过程.